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IPB60R099C6

IPB60R099C6产品图片
  • 发布时间:2019-1-9 10:49:21
  • 所属类别:集成电路 » 集成电路
  • 公    司:深圳市宏辉电子科技有限公司
  • 联 系 人:谢经理
  • IPB60R099C6供应商

IPB60R099C6属性

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  • Infineon

IPB60R099C6描述

FET类型N沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)600V
电流-连续漏极(Id)(25°C时)37.9A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)10V
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值)99毫欧@18.1A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值)3.5V@1.21mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值)119nC@10V
Vgs(最大值)±20V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)2660pF@100V
FET功能-
功率耗散(最大值)278W(Tc)
工作温度-55°C~150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装D²PAK(TO-263AB)
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

所有产品保证原厂原装环保。来电咨询13923840661.谢经理
本公司经销品牌:原厂货源,全新原装!
聯系人:谢先生张小姐
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联系方式
  • 联系人:谢经理
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