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晶体管FQD2N60CTM半导体产品

发布时间:2018-10-10 13:55:00 访问次数:92 发布企业:安富利(深圳)商贸有限公司

FQD2N60CTM介绍:

描述 MOSFET N-CH 600V 1.9A

制造商标准提前期 11 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 600V 1.9A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 QFET®

包装 带卷(TR)

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.9A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4.7 欧姆 @ 950mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V

Vgs(最大值) ±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 235pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),44W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D-Pak

封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

安富利(深圳)商贸有限公司介绍:


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晶体管实际上是所有现代电器的关键活动(active)元件。晶体管在当今社会的重要性主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程进行大规模生产的能力,因而可以不可思议地达到极低的单位成本。


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