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NTJD1155LT1G

发布时间:2018-11-7 10:18:00 访问次数:175 发布企业:深圳市嘉轩电子科技有限公司

NTJD1155LT1G

造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SC-88-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 8 V
Id-连续漏极电流: 1.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 175 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 400 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Dual
Pd-功率耗散: 400 mW
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.9 mm
长度: 2 mm
产品: MOSFET Small Signal
系列: NTJD1155L
晶体管类型: 2 P-Channel
类型: MOSFET
宽度: 1.25 mm
商标: ON Semiconductor
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
单位重量: 31 mg

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