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150KHz40V/3A开关电流自带恒流环路降压型DC-DC转换器XL4201

发布时间:2018-11-7 12:06:00 访问次数:124 发布企业:深圳市哲瀚电子科技有限公司

深圳市哲瀚电子科技优势供应芯龙系列:XL7005 XL7015XL7009 XL7010 XL7003 XL7015 XL7007 XL4003 XL4005 XL4013 XL4015 XL4016 XL6007 XL6008 XL6009 XL6012S XL6012T XL4002 XL4101 XL2009XL6001XL6003 XL6019XL6005芯龙一级代理商,欢迎咨询0755-83224649陈小姐。

XL4201是一款高效降压型DC-DC转换器,可工作在DC8V到40V输入电压范围,低纹波,内置功率MOS。XL4201内置固定频率振荡器与频率补偿电路,简化了电路设计。

PWM 控 制 环路可 以 调 节占空比 从0~100%之间线性变化。内置输出过电流保护功能。内部补偿模块可以减少外围元器件数量。

特点:

n 8V到40V宽输入电压范围
n 输出电压从1.25V到37V可调
n 最小压差0.3V
n 固定150KHz开关频率
n 最大3A开关电流
n 内置功率MOS
n 出色的线性与负载调整率
n 内置恒流环路
n 内置频率补偿功能
n 内置输出短路保护功能
n 内置输入过压保护功能
n 内置热关断功能
n 推荐输出功率小于13W
n SOP8-EP封装
应用:
n 车载充电器
n 电池充电器
n LCD电视与显示屏
n 便携式设备供电
n 通讯设备供电
n 降压恒流驱动
n 显示器LED背光

n 通用LED照明

AMD Zen架构取得了空前成功,今年还优化为Zen+增强版,并有同样优化的12nm工艺辅助,而现在我们终于迎来了全新的第二代Zen 2架构,以及全新的7nm工艺加持。

AMD原计划采用GlobalFoundries 7nm为自家新CPU、GPU代工,但后者已经放弃7nm及后续工艺,好在还有天字一号代工厂台积电,AMD 7nm CPU、GPU全都转移了过去,而且目前看起来很顺利,无论产品设计还是路线图都在按计划进行。

根据台积电提供的数据,7nm相比于目前的14/12nm可以将晶体管密度提高一倍,同等频率下功耗可以降低一半,而同等功耗下性能提升可以超过25%。

如果说12nm更多地是在“数字”上领先Intel 14nm,这一次7nm则是在技术上完全实现超越,也能稍微领先Intel仍在难产的10nm。

更先进的制造工艺一直是Intel最强有力的武器,但这次竟然被AMD完全超越,实在是令人唏嘘,即便是Intel一再强调自己的10nm相当于其他家的7nm也无济于事,毕竟人家的产品马上就要出来了。

回到Zen 2,这是世界上第一个7nm工艺的高性能x86 CPU,除了新工艺主要变化包括:CPU核心执行增强、更深入的安全增强、模块化设计灵活配置并降低制造难度。

Zen 2实现了两倍于第一代的吞吐能力,这主要得益于执行流水下的改进、浮点单元和载入存储单元的翻番、核心密度的翻番、每操作功耗的减半。

在前端设计上,Zen 2重点改进和优化了分支预测、指令预取、指令缓存、操作缓存。

而在浮点方面,Zen 2将浮点宽度翻了一番达到256-bit,载入存储带宽同样翻了一番,并提升了分发/回退带宽,所有模块都保持着很高的吞吐。

安全性方面,AMD重点强调了新架构可以在硬件层面免疫Spectre幽灵安全漏洞。

Zen 2架构支持更多核心,但并不是单纯地增加核心数量,而是采用了特殊的组合结构:EPYC霄龙最多单路64核心128线程,分为八个Die,每个Die内八个物理核心,同时外部还有一个单独的I/O Die,集成内存控制器、Infinity Fabric高速总线、I/O输入输出,专门负责联络各个Die与物理核心。

这种新的模块化设计更加灵活,可以单独针对每个模块进行优化、调配,同时借助I/O Die大大优化了整体延迟与功耗。

不过注意,CPU Die部分用的是7nm工艺, I/O Die部分则还是14nm,因为后者大部分都是模拟电路,对新工艺并不敏感,即便上了7nm也不会带来集成度、性能、功耗的明显改善,成本却会明显增加,所以采用了这种混合工艺模块组合。

事实上,Intel也正在同一颗芯片内尝试不同工艺的组合,都是出于同样的目的。

以上说的都是Zen 2架构的理论部分,最终落实到EPYC霄龙、Ryzen锐龙产品上,还会有不同的表现,但可以预料,新架构新工艺,必然会带来明显更高的频率、更低的功耗,而且无论桌面还是服务器,AMD这几年都会保持前后代兼容。

AMD还首次确认,Zen 4架构已经在设计中,将在7nm+ Zen 3之后面世,时间上估计至少会在2021年。


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