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FDA18N50

发布时间:2018-11-8 9:52:00 访问次数:81 发布企业:深圳市嘉轩电子科技有限公司

数据列表 FDA18N50;

标准包装 450

包装 管件

零件状态 在售

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单

系列 UniFET™


规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 500V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 265 毫欧 @ 9.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V

Vgs(最大值) ±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2860pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 239W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-3PN

封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3



FDA20N50_F109

FDA16N50

FDA16N50_F109

FDA18N50

FDA28N50

FDA70N20

FDA59N25

FDA59N30

FDLL4148

MXSDVK

AD9945KCPZRL7

SP107156CFUE

EMMC08G-S100

EMMC08G-S100-A06

EMMC08G-V100-C30

CX24132-12Z

ATF1508AS-10AU100

TL072CDR

TL074CDR

TL071CDR

ADG442BRZ-REEL


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