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IPDD60R080G7XTMA1功率MOSFET采用创新型无引线SMDTO(TOLL)封装(采用开尔文源极概念)

发布时间:2018-12-4 10:15:00 访问次数:68 发布企业:深圳市徕派德电子有限公司

Infineon Technologies CoolMOS™ C7 Gold (G7) 功率MOSFET Infineon Technologies CoolMOS™ C7 Gold (G7) 功率MOSFET采用创新型无引线SMD TO (TOLL) 封装(采用开尔文源极概念)。G7 MOSFET将经过改进的600V和650V CoolMOS™ G7技术、4引脚开尔文源极功能以及无引线TO封装的更高热性能相结合。因此,该SMD解决方案适合用于大电流硬开关拓扑,如高达3kW的功率因数校正 (PFC)。600V CoolMOS™ G7 MOSFET可用于高端LLC等谐振电路。

CoolMOS™ G7技术提供低RDS(on),因此可实现更高的效率、更快的开关速度以及更高的功率密度。G7外形小巧,可通过缩短组装时间降低生产成本。

Infineon Technologies CoolMOS™ C7 Gold (G7) 功率MOSFET

FEATURES 同类最佳FOM RDS(on)x Eoss和RDS(on)x QG 同类最佳RDS(on),占位极小 内置4引脚开尔文源极配置和低寄生源极电感 (~1nH) 达到MSL1级、完全不含铅、设有便于目视检查的槽纹引线 改善了热性能 通过开尔文源极降低了寄生源极电感,从而提高了开关效率和易用性 TOLL封装简便易用,具有最高质量标准 由于改善了热性能,因此SMD TOLL封装可用于大电流的设计 650V G7:相比之前的650V CoolMOS™ C7,FOM RDS(on) x QGis提高了14%,实现了更高的效率 600V G7:相比之前的600V CoolMOS™ C7,FOM RDS(on) x QGis提高了16%,实现了更高的效率 650V G7:出色的功率密度、同类最佳33mΩ、115mm2TOLL封装 600V G7:出色的功率密度、同类最佳28mΩ、115mm2TOLL封装 应用 电信 服务器 太阳能 工业SMPS

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