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SIDR622DP-T1-GE3第四代双面冷却MOSFET

发布时间:2018-12-4 11:43:00 访问次数:78 发布企业:深圳市和谐世家电子有限公司


Vishay TrenchFET®第四代双面冷却MOSFET可进行顶部冷却,另外还可在器件上的另一个位置实现热传递。这些MOSFET采用PowerPAK®SO-8DC封装。TrenchFET双面冷却MOSFET包括可提供如下漏源击穿电压的型号:25V、30V、40V、60V、80V、100V、150V和200V。这些N通道MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C。TrenchFET MOSFET可用于各类特定产品应用,包括同步整流、直流/直流转换、电源、电池管理等。


Vishay TrenchFET第四代双面冷却MOSFET

FEATURES TrenchFET®功率MOSFET 可进行顶部冷却,另外还可在器件上的另一个位置实现热传递 经100%Rg和UIS测试 PowerPAK SO-8DC封装 SPECIFICATIONS 漏源击穿电压:25V、30V、40V、60V、80V、100V、150V和200V 工作温度范围:-55°C至150°C 应用 同步整流 直流/直流转换器 SiDR626DP、SiDR638DP、SiDR668DP、SiDR680DP和SiDR870ADP: 电机驱动控制 电池和负载开关 SiDR140DP、SiDR390DP、SiDR392DP和SiDR402DP OR-ing 负载开关 高功率密度直流/直流器件 SiDR610DP: 电源 D类放大器 SiDR622DP: 一次侧开关 H桥

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