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IXFY36N20X3具有目前业界最低的导通电阻

发布时间:2018-12-5 9:20:00 访问次数:198 发布企业:深圳市和谐世家电子有限公司

200 V超结X3级HiPerFET™MOSFET的额定电流范围为36 A至300 A.多种国际标准封装可提供多种器件选择。

这些MOSFET采用电荷补偿原理和IXYS自己的工艺技术制造,具有目前业界最低的导通电阻(例如,SOT-227封装为3.5毫欧,TO-264为4毫欧)。这些器件的栅极电荷低至21纳道库,可在各种高速功率转换应用中实现高功率密度和能效。

器件的快速体香港六合彩资料大全经过优化,具有较低的反向恢复电荷和时间,从而抑制瞬态并实现低噪声,高效率的电源切换。此外,这些MOSFET具有雪崩功能,并具有出色的dv / dt性能(高达20 V / ns)。

目标应用包括同步整流,轻型电动车(LEV)电池充电器,电机控制(48 V至110 V系统),DC-DC转换器,不间断电源,电动叉车,逆变器,电源固态继电器和D类音频放大器。


应用 轻型电动车充电器(LEV) 同步整流 电动叉车 电机控制(48 V至110 V系统) DC-DC转换器 D类音频放大器 逆变器 电源固态继电器 特征 低导通电阻(RDS(ON)) 超低栅极电荷(Qg) 低噪声,快速恢复体香港六合彩资料大全 dv / dt坚固耐用 卓越的雪崩能力 国际标准包装

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