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PESD3V3L1BANEXPERIAESDProtectionDevice,TVS,20V,SOD-323,2Pins

发布时间:2018-12-5 10:20:00 访问次数:84 发布企业:鑫锐电子(香港)有限公司

PESD3V3L1BA产品详细规格

配置 Single
外形尺寸 1.8 x 1.35 x 1.05mm
方向类型 Bi-Directional
ESD保护 Yes
身高 1.05mm
长度 1.8mm
最大钳位电压 26V
最高工作温度 +150 °C
最大峰值脉冲电流 18A
最大反向漏泄电流 2μA
最大反向防区外电压 3.3V
最小击穿电压 5.8V
最低工作温度 -65 °C
安装类型 Surface Mount
每个芯片的元件数 1
包装类型 UMD
峰值脉冲功率耗散 500W
引脚数 2
测试电流 5mA
宽度 1.35mm
弧度硬化 No
安装风格 Surface Mount
工作温度最高摄氏度。 150C
工作温度敏度。 -65C
封装/外壳 SOD-323
产品长度(mm ) 1.8 mm
产品厚度(毫米) 1.35 mm
产品高度(mm ) 1.05 mm
电容值 101pF
抑制器类型 TVS
钳位电压 26V
泄漏电流 2uA
工作电压 3.3V
香港六合彩资料大全类型 :Bidirectional TVS
Clamping Voltage Vc Max :6.4V
Diode Case Style :SOD-323
No. of Pins :2
MSL :-
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Alternate Case Style :SC-76
击穿电压 :6.4V
Breakdown Voltage Max :6.9V
Breakdown Voltage Min :5.8V
Breakdown Voltage Range :5.8V to 6.9V
Breakover Voltage Min :5.8V
Capacitance Cd @ Vr Max :95pF
Capacitance Cd @ Vr Typ :101pF
Clamping Voltage @ 8/20μs Max :26V
香港六合彩资料大全配置 :Bidirectional
Operating Temperature Max :150°C
Operating Temperature Min :-65°C
工作温度范围 :-65°C to +150°C
Peak Pulse Current Ippm :18A
Peak Pulse Power :500W
引脚配置 :1
Reverse Stand-Off Voltage Vrwm :3.3V
SMD Marking :AB
Stand-off Voltage :3.3V
TVS Polarity :Bidirectional
Weight (kg) 0.000004

Tariff No. 85411000


香港鑫锐保证原装进口现货


鑫锐电子(香港)有限公司,18年元器件专业分销商 (授权与非授权品牌) ,一站式终端厂家配套:(质量保证 诚信经营)是公司的承诺,为客户提供品牌原装半导体,六合彩资料大全终端配套市场,专注ESD/TVS静电保护香港六合彩资料大全、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域(无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源)。


主营产品:ESD静电香港六合彩资料大全、TVS香港六合彩资料大全、电池充电和管理电源、MOS管、LDO低功耗稳压管。


公司:鑫锐电子(香港)有限公司
联系人:姚小姐
手机:13725590222
电话:0755-83780666/83265111
传真:0755-82800889
QQ: 3373563833
地址:深圳福田区福田北路华强广场B座26B
公司网址:www.xrdz-hk.com


公司部分现货:
TLV70433DBVR、TP4101、TP5100、TP4056、RT9013-33PB、TPS73618DBVR、MIC5255-3.0YM5、CDSOT23-T36C、CDSOT23-24C、TL431CDBZR、TL431IDBZR、TLV1117CDCYR、LM317EMPX、NCP1117ST33T3G、NCP1117ST50T3G、PESD5V0V1BL、PESD5V0V1BSF、PESD2CAN、PESD5V0S1BA、PESD12VS2UT、PESD15VL2BT、PESD36VS2UT、PESD3V3L1BA、PESD24VL2BT、IP4220CZ6、IP4223CZ6、BCP56-16、BCP51-16、BSN20、uClamp0511T.TCT、SRV05-4.TCT、RCLAMP0531T.TCT、RCLAMP0502A.TCT、SD05C.TCT、SR05.TCT、RCLAMP0524J.TCT、ESD5Z2.5T1G、ESD5Z3.3T1G、CM1213A-01SO、CM1213A-04SO、NTR4501NT1G、NTR4502PT1G、NTR4170NT1G、NTR4171PT1G、RLST23A032C、RLST23A0122C、RLST23A052C、PRTR5V0U2X、GBLC03CI-LF-T7、GBLC03C-LF-T7、GBLC05CI-LF-T7、GBLC05C-LF-T7、GBLC08CI-LF-T7、GBLC08C-LF-T7、GBLC12CI-LF-T7、GBLC12C-LF-T7、GBLC15CI-LF-T7、GBLC24CI-LF-T7、GBLC24C-LF-T7、PSD03C-LF-T7、PSD05-LF-T7、PSD05C-LF-T7、PSD08C-LF-T7、PSM712-LF-T7、AO3400、AO3400A、AO3401A、AO3402、TPSMB6.8CA-E3/52、TPSMB6.8A、TPSMB47A、TPSMB43A、TPSMB39A、TPSMB36A、TPSMB33A、TPSMB30A、STTH208、SGM2036-3.3YUDH4G/TR等等


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经过两年多的涨价潮之后,DRAM的风光不再,10月份调研报告显示DRAM内存现货价格跌了10%,4GB及8GB模组的价格都在跌,DRAM内存芯片持续了两年多的牛市要转向熊市了。

DRAM内存降价已是必然,内存大厂也纷纷消减明年DRAM产能。不过这内存涨的时候猛涨不止,降价的势头也同样比预期更狠。

今(4)日最新消息,今年第四季DRAM价格正式反转向下,11月合约价甚至出现二次下跌的状况,以目前成交价格来看,已有部分比重的合约价改以月方式进行议价,显示买方对于DRAM价格后势看法悲观,预计2019年第一季DRAM合约价跌幅将持续扩大。

此外,第四季DRAM平均销售单有近8%的跌幅,其中以标准型存储器、服务器存储器与利基型存储器为最,季跌幅都接近10%;而移动存储器由于先前缺货时涨价幅度较小,因此第四季的跌幅相对较小,仅约5%。

面对当前DRAM价格一路走跌的形势,各大内存厂商对未来的价格走势有何看法?

一种是持保守的态度。

针对明年存储器价格走势,十铨科技总理理陈庆文相对保守看待,他提到,目前看DRAM、NAND Flash明年价格将双双跌价,价格跌幅都恐达三成,预计明年上半年价格跌势较为明显,明年第三季起,随着5G带动服务器需求,产业有机会触底反弹,明年下半年价格有机会逐步止跌。

同样的,DRAM大厂南亚科也曾表示,第四季DRAM市况较先前转趋保守,并将今年资本支出由240亿元新台币降至210亿元新台币。维持2018年的位元出货量成长目标为48%,2019年目标为14~16%的年成长。

另一种则保持相对乐观的态度。

展望明年上半年,威刚科技则持不同看法,由于DRAM新产能增加有限,加上电竞、IoT、车载等新需求动能持续成长,预期明年上半年DRAM价格仍将相对稳定。

另外,南亚科总经理李培瑛表示,明年DRAM需求仍不悲观,供应商端也理性控制产出,不认为明年在报价上会有剧烈的波动,中美贸易战之国际局势将是影响市场的最大关键因素。

李培瑛分析,全球电子产品走向智能化,存储器是最关键的零组件,需求面没有太悲观。供给方面,DRAM供应商现在变得比较理性。预期明年虽有季节性变化,尚不会有急剧跌价的问题,明年DRAM价格预计出现合理的调整,估计会持续缓跌一季或者二季。

但是,除去这些原因,他们都一致提到了中美贸易战的影响,明年市场的关键依旧在于国际局势。虽说G20峰会之后,中美关系有所缓和,但是未来政策上稍有变动,谁也不知道会有怎样的影响。

展望明年第一季,DRAMeXchange 指出,供给面较2018年第四季持续增加,主要来自于1Ynm制程良率持续改善、投入比重持续增加,以及三星平泽厂在今年第四季的持续增产;而每年首季都是传统需求淡季,加上2019年第一季智能手机的出货力度较往年更为疲弱,恐将造成移动存储器价格跌幅扩大。从整体 DRAM价格来看,明年第一季跌幅较今年第四季更为显著,恐怕是不可避免的状况。

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