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BCP56NXP80V12A4-Pin(3+Tab)SOT-223T/R

发布时间:2018/12/5 10:53:00 访问次数:111 发布企业:鑫锐电子(香港)有限公司

BCP56产品详细规格

Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 1.2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 500mV @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 40 @ 150mA, 2V
功率 - 最大 1W
频率转换 -
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装 SOT-223-4
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 4SOT-223
类型 NPN
引脚数 4
最大集电极发射极电压 80 V
集电极最大直流电流 1.2 A
最小直流电流增益 25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V
最大集电极发射极饱和电压 0.5@50mA@500mA V
最大集电极基极电压 100 V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 1000 mW
安装 Surface Mount
标准包装 Cut Tape
标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 1.2
最低工作温度 -55
包装宽度 3.7(Max)
PCB 3
最大功率耗散 1000
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 100
最大集电极发射极电压 80
供应商封装形式 SOT-223
标准包装名称 SOT-223
最高工作温度 150
包装长度 6.7(Max)
包装高度 1.7(Max)
最大基地发射极电压 5
封装 Tape and Reel
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 1.2A
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 50mA, 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
供应商设备封装 SOT-223-4
功率 - 最大 1W
封装/外壳 TO-261-4, TO-261AA
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 40 @ 150mA, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 BCP56FSCT
工厂包装数量 4000
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
零件号别名 BCP56_NL
安装风格 SMD/SMT
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
直流集电极/增益hfe最小值 40
直流电流增益hFE最大值 250
单位重量 0.006632 oz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 80 V
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant By Exemption
连续集电极电流 1.2 A
系列 BCP56
集电极 - 基极电压VCBO 100 V
最低工作温度 - 55 C
集电极电流( DC)(最大值) 1.2 A
集电极 - 基极电压 100 V
集电极 - 发射极电压 80 V
发射极 - 基极电压 5 V
功率耗散 1 W
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOT-223
元件数 1
直流电流增益(最小值) 25
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
直流电流增益 25
集电极电流(DC ) 1.2 A
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :80V
功耗 :1W
DC Collector Current :1.2A
DC Current Gain hFE :40
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-223
No. of Pins :4
MSL :-
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Application Code :GP
Av Current Ic :1A
Collector Emitter Voltage Vces :500mV
连续集电极电流Ic最大 :1.2A
Current Ic Continuous a Max :1.2A
Current Ic hFE :150mA
Hfe Min :40
No. of Transistors :1
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Power Dissipation Ptot Max :1W
SMD Marking :BCP56
Voltage Vcbo :100V
Weight (kg) 0.00012
Tariff No. 85412900
associated RE901


香港鑫锐保证原装进口现货


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随着2018年第三季美国的市占率提高,加上MC(手机)业务部部长调换为拯救LG电视业务的权凤锡,LG的智能手机业务气场就此转变,预期2019年智能手机业务的亏损也能大幅降低,明年也成为LG能否起死回生的关键年度。

根据韩媒《Chosun》报导,从市调机构Counterpoint Research在11月底释出的资料来看,2018年第三季美国市场占有率第一名是苹果(39%),其次是三星电子(25%)和LG电子(17%),若和上一季相比,苹果减少了1%,三星电子保持占比,LG电子则增加了1%,市场观察,LG能成长的原因来自差别化战略。


今年6月,LG电子并没有在美国推出刘海设计的G7 ThinQ,而是透过美国电信运营商AT&T推出了V30的升级版V35,这也意味着,LG特别针对美国消费者的喜好,并根据不同的地区推出不同的智能手机。

不仅在美国开始有好的收获,韩国的销售前景也好转,虽然最新一季的营收仍然出现了赤字,但亏损的幅度正在明显减少。截至今年第三季,MC业务部的亏损纪录是4678亿韩元,预计今年的亏损会达到6060亿韩元,虽说没有停止连续14季的亏损纪录,但从2018年第4季开始,LG透过新推出的V40 ThinQ开始挽回销售额,若从FnGuide和EBEST投资证券的资料来看,明年MC业务部的亏损预计能降低到4950亿韩元。

上个月底,LG进行了人事调动,由HE(影音)事业本部长权凤锡接下MC事业本部长,权凤锡将同时负责电视业务和智能手机业务,外界期望权凤锡能把OLED电视成功的经验移植到MC业务部。电子业相关人士表示,这可以当作是为了改变氛围而进行的改编,因为权凤锡社长引领了电视事业的革新,因此外界期待很高。

过去权凤锡曾担任过手机商品企划的负责人,不需另外适应,加上权凤锡本身喜欢改革创新,从2014年开始担任HE事业本部长后,便开始翻转原有的电视业务策略,打破30英寸~60英寸的机海战略,开始集中攻略高端机型,2017年电视营业利润率超过8%,预计2018年能上升到10%。

目前LG的智能手机生产线有5种,包含旗舰规格G系列、V系列,以及中低价格定位的Q系列、K系列和X系列,5种价格虽能攻占不同层次的消费者,但也让手机业务相当分散,因此外界也相当关注权凤锡对手机业务采取的策略,外界普遍认为,手机的策略可能会像电视业务一样,整理生产线后,主攻高端产品。

近年智能手机的性能开始向上标准化,中阶与高阶手机的性能差异变小,这也加深了功能差别化的重要性,最近美国专利厅公开的LG登记的专利中,便出现搭载16颗镜头的手机,预计能同时合成各种角度的照片;日前LG也宣布会于2019年推出折叠式手机,预计明年会持续透过这样的性能差别化战略、高端手机战略进行业务调整。

电子业相关人士也指出,随着LG逐渐改善智能手机业务的亏损,并推出保证销量的多样性产品之外,“大家期待权凤锡能把过去在TV业务上展现的魔法,也施展在智能手机业务上。”

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