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BCP53-16晶体管(BJT)80V1ASMTPNPMediumPowerTransistor-SOT-223

发布时间:2018-12-6 10:01:00 访问次数:92 发布企业:鑫锐电子(香港)有限公司

BCP53-16,115产品详细规格


Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 1A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 500mV @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 150mA, 2V
功率 - 最大 1W
频率转换 145MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装 SC-73
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 4SOT-223
类型 PNP
引脚数 4
最大集电极发射极电压 80 V
集电极最大直流电流 1 A
最小直流电流增益 100@150mA@2V
最大工作频率 145(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.5@50mA@500mA V
最大集电极基极电压 100 V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 1350 mW
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 1
Maximum Transition Frequency 145(Typ)
包装宽度 3.7(Max)
PCB 3
最大功率耗散 1350
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 100
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SC-73
标准包装名称 SOT-223
最高工作温度 150
包装长度 6.7(Max)
最大集电极发射极电压 80
包装高度 1.7(Max)
最大基地发射极电压 5
封装 Tape and Reel
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 1A
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 145MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 50mA, 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
供应商设备封装 SC-73
功率 - 最大 1W
封装/外壳 TO-261-4, TO-261AA
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 150mA, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 568-6105-1
类别 Bipolar Power
配置 Single Dual Collector
外形尺寸 1.7 x 6.7 x 3.7mm
身高 1.7mm
长度 6.7mm
最大基地发射极电压 5 V
最高工作温度 +150 °C
最低工作温度 -65 °C
包装类型 SC-73
宽度 3.7mm
工厂包装数量 1000
增益带宽产品fT 145 MHz
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
直流集电极/增益hfe最小值 100 at 150 mA at 2 V
直流电流增益hFE最大值 100 at 150 mA at 2 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 80 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 100 V
零件号别名 BCP53-16 T/R
RoHS RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 1 A
集电极 - 基极电压(最大值) 100 V
集电极 - 发射极电压 80 V
发射极 - 基极电压(最大值) 5 V
频率(最大) 145 MHz
功率耗散 1 W
工作温度范围 -65C to 150C
元件数 1
直流电流增益 100@150mA@2V
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
输出功率(最大) Not Required W
直流电流增益(最小值) 100
集电极 - 基极电压 100 V
发射极 - 基极电压 5 V
频率 145 MHz
集电极电流(DC ) 1 A
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :-80V
Transition Frequency ft :145MHz
功耗 :650mW
DC Collector Current :-1A
DC Current Gain hFE :100
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-223
No. of Pins :4
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Weight (kg) 0.00012

Tariff No. 85412900


香港鑫锐保证原装进口现货


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公司:鑫锐电子(香港)有限公司
联系人:姚小姐
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公司部分现货:
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在高通骁龙技术峰会上,除了5G、骁龙855处理器之外,高通还宣布了3D Sonic屏幕指纹识别传感器技术,这是全球首个超声波指纹识别技术。根据高通所说,相比目前的光学屏幕指纹识别技术,超声波指纹识别技术具备更快的解锁速度及更安全的识别,而且面积更大,位置布置更灵活。高通这次官宣超声波指纹识别技术意味着它已经可以量产商用了,三星Galaxy S10系列手机应该是首发支持高通超声波识别的手机了。

关于屏幕指纹识别技术,我们之前在超能课堂里介绍目前主流的方案——聊聊光学屏下指纹与超声波指纹识别,目前Vivo、OPPO、小米、华为、魅族等公司使用的屏幕指纹识别还是光学屏幕指纹识别技术,虽然该技术率先量产,不过光学屏下指纹识别技术需要穿透OLED屏幕,识别速度、准确率不如电容式指纹识别,借助OLED屏幕发光也会导致OLED屏幕特定区域一直发光,不仅会增加功耗,还对OLED屏幕寿命有影响。

与光学屏幕指纹识别技术相比,超声波屏幕指纹别技术理论上更好,它的原理跟光学指纹识别不同,不依赖屏幕发光,而是传感器主动发出超声波,穿透屏幕及玻璃达到人体皮肤,然后接收反射回来的信号,利用指纹表面与空气密度的不同从而构建出3D指纹图像,与指纹信息做比对。

高通一直是超声波指纹识别技术的主力,2016年小米、乐视就抢着用过高通的超声波指纹识别技术,但是体验并不好,2017年在上海MWC展会上高通发布了第二代超声波指纹识别技术,已经可以穿透0.8mm的玻璃、0.65mm的金属、1.2mm的OLED屏幕了。

今天在骁龙技术峰会上高通又宣布了3D Sonic Sensor超声波屏幕指纹识别技术,高通表示该技术可以生产指纹的3D图像而非2D图像,所以安全性更高,同时解锁速度更快,对指纹识别的位置也没有要求,而光学屏幕指纹识别目前只是特定区域才能指纹识别。

高通的超声波指纹识别技术优点多多,解决量产问题之后势必会在新一代旗舰机上大规模使用。结合之前的爆料以及三星的表态,三星明年上半年的旗舰机Galaxy S10系列应该是首批使用高通超声波指纹识别技术的手机了。


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