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2N7002E-T1-E3晶体管

发布时间:2019-1-9 14:27:00 访问次数:63 发布企业:深圳市嘉轩电子科技有限公司

2N7002E-T1-E3

数据列表 2N7002E Datasheet;

标准包装 3,000

包装 标准卷带

零件状态 在售

类别 分立半导体产品

产品族 - FET,MOSFET - 单

系列 -


规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 240mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3 欧姆 @ 250mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) .6nC @ 4.5V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 21pF @ 5V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 350mW(Ta)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)

封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

SIS412DN-T1-GE3

LM219DT

GBU8J-E3/51

L4949EDTR-E

2N7002E-T1-E3

SI4925DDY-T1-GE3

IRFU120NPBF

DG408DY-E3

STB12NK50ZT4

2N7002E-T1-E3

IRFPG50PBF

DG408DY-E3

LM324DT

LM324DT

STD5NK50Z-1

STP26NM60N

STPS30H60CFP

SMAJ6.0A-E3/61

GBU8J-E3/51

STPS61L45CW-H

IRF9640PBF

STD10P6F6

L78L05ABZ-AP

L7805ACV-DG

STM32F103ZET6

DG408DY-E3

2N7002E-T1-E3

STM32F105RBT6

STM32F100R8T6B

STP26NM60N

30CPQ100PBF

STM32F100R8T6B

IR2156PBF

SI7738DP-T1-GE3

STP9NK70ZFP

ST13003-K

VS-60APU04PBF

DG408DY-E3

SM8S24AHE3/2D

STPS20150CG-TR

BDW93C

LM358DT

SMAJ6.0A-E3/61

L78L05ABZ-AP

STF14NM65N

2N7002E-T1-E3

STM32F105RBT6

LM358DT

BDW93C

DG408DY-E3

LM324DT

STM32F100R8T6B

SI4925DDY-T1-GE3

TCMT1107

SI7738DP-T1-GE3

STP75NF20

SI2304BDS-T1-GE3

IRF9640PBF

IRF644PBF

2N7002E-T1-E3

LD1085D2T33R

TDA7498ETR

MB2S-E3/80

Z0109NN 5AA4


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