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STP100N8F6

发布时间:2019/1/9 14:30:00 访问次数:143 发布企业:深圳市嘉轩电子科技有限公司

数据列表 STP100N8F6;
标准包装 50
包装 管件
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 STripFET™ F6


规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 80V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5955pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 176W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220
封装/外壳 TO-220-3



STW9N150
MURS120-E3/52T
ST26C31BDR
MCL4148-TR
ES07D-GS08
SI4488DY-T1-E3
STP12NM50FP
STM32F303RCT6
BAR43CFILM
LD1117V33
LF33CV
LL4448-GS08
DF01S-E3/77
SS2P4-M3/84A
STP100N8F6
LD1117V33
LF33CV
STB55NF06T4
STM8S207RBT6
D44H11
RS1M-13-F
MCL4148-TR
STF10N60M2
VS-30ETH06PBF
SS12-E3/61T
M95640-WDW6TP
LF33CV
BAV103-GS08
AP1117EG-13


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