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FCH125N65S3R0-F155具有更高的功率密度和超过40%的Rds(on)降低

发布时间:2019/1/11 11:15:00 访问次数:95 发布企业:深圳市徕派德电子有限公司

650 V、SuperFET® III MOSFET ON Semiconductor 推出其 650 V、SuperFET® III MOSFET,相同封装尺寸具有更高的功率密度和超过 40% 的Rds(on) 降低

Fairchild Semiconductor 的 650 V、SuperFET® III MOSFETON Semiconductor的 650 V、SuperFET III 系列是为实现高功率密度而专门设计的高性能超级结 MOSFET。 相比上一代行业领先技术,SuperFET III 技术在相同的封装尺寸下使得 Rds(on)降低了 40% 以上,能够让产品设计人员减小封装尺寸或增加相同封装的功率。

特性 应用 能够实现更高系统能效的同类最佳 FOM 和 Eoss 先进的充电平衡技术 具有更低栅极振荡和 EMI 的高均衡型开关特性 同类最佳坚固型体香港六合彩资料大全 所有易驱动型 MOSFET 中Rsp最低 服务器 电信系统 EV 充电器 工业系统

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