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IRLML6402TRPBF晶体管-FET,MOSFET-单,INFINEON代理现货!

发布时间:2019/3/12 10:47:00 访问次数:66 发布企业:深圳市诺美思科技有限公司

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数据列表 IRLML6402PbF;
标准包装 1 包装 剪切带(CT) 零件状态 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 HEXFET®
规格 FET 类型 P 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.7A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V 不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) 65 毫欧 @ 3.7A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) 12nC @ 5V Vgs(最大值) ±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 633pF @ 10V FET 功能 - 功率耗散(最大值) 1.3W(Ta) 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 Micro3™/SOT-23 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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